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Intel: Wechselt auf neue Gate-All-Around (GAA) Transistor-Technologie

Nach den Schwierigkeiten bei der Produktion von 10nm will Intel andere Wege finden, um auf dem Prozessormarkt wettbewerbsfähig zu bleiben.


Σdie VLSI-Konferenz 2020 ο Chief Technology Officer von Intel Mike Mayberry verwies auf die "Future of Compute", ein großes Thema, das das Unternehmen in den kommenden Jahren beschäftigen dürfte.

Wir sprechen praktisch über den Übergang von Intel von seinem klassischen Design Transistor (FinFET), wo wir es mit der dreidimensionalen Ausrichtung dieser zu tun haben, in einer völlig neuen und damit revolutionären Produktneuheit.

Eine der Fragen am Ende der Konferenz war die der Zukunft der Technologie und da Maibeere Er sagte, er rechne damit, dass Nanodraht-Transistoren in fünf Jahren in Produktion gehen werden, aber das kann kein bestimmtes Erscheinungsdatum bieten.

Gemeinsam mit anderen großen Unternehmen der Branche wie Samsung wird Intel mit revolutionären neuen Herstellungsmethoden fortfahren. Aber vorher bestätigt er, dass wir ihren Eintrag 2021 sehen werden 10nm + sowie einen neuen Knoten, den von 7nm erscheinen in Produktblätter mit Bestrebungen für eine Veröffentlichung später im Jahr.

Was Intel, wie andere Transistorfirmen auch, beschäftigen wird, ist das Design Gate-Rundum (GAA) die "fast" schwebende Transistorflossen mit ihrem Hauptpositiv enthält, da sie die geringe Größe haben.

Dies, zusammen mit anderen positiven Aspekten wie der größeren Skalierung, die es bieten kann FinFET werden GAA-Transistoren zum nächsten großen Schritt für Intel machen, auf den andere Unternehmen in naher Zukunft setzen werden.

Quelle


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