Η Samsung Electronics, Weltmarktführer in fortschrittlicher Speichertechnologie, gab die Massenproduktion von mobilem DRAM mit der höchsten Kapazität.
Η neues mobiles DRAM ist das erste 4X in der Branche 12 Gigabyte (GB), geringer Stromverbrauch, duale Datengeschwindigkeit (LPDDR4X) - optimiert für die Premium-Smartphones von morgen. Mit einer höheren Kapazität als die meisten ultraschlanken Notebooks ermöglicht das neue mobile DRAM den Benutzern, alle Funktionen eines Smartphones der nächsten Generation optimal zu nutzen.
„Mit dem Start der Massenproduktion des neuen LPDDR4X vervollständigt Samsung eine vollständige Produktlinie fortschrittlicher Speicherprodukte, die die neue Ära der Smartphones vorantreiben werden, einschließlich Speicherlösungen von 12 GB mobilem DRAM bis 512 GB eUFS 3“, sagte Sewon Chun, Executive Vice Präsident des Speichermarketings von Samsung Electronics. „Darüber hinaus stärken wir mit LPDDR4X unsere Position als Hersteller von Premium Mobile Memory, um die stark wachsende Nachfrage der Smartphone-Hersteller weltweit effektiv zu bedienen.“
Dank 12 GB mobilem DRAM können Smartphone-Hersteller die Fähigkeiten von Geräten mit mehr als fünf Kameras, ständig größer werdender Bildschirmgröße sowie künstlicher Intelligenz (KI) und 5G-Funktionen maximieren. Mit dem neuen 12-GB-DRAM können Smartphone-Benutzer viele Aufgaben gleichzeitig und nahtlos ausführen, schneller suchen und mühelos zwischen zahlreichen Anwendungen auf sehr großen Bildschirmen mit höherer Auflösung navigieren. Auch sein schlankes Design (nur 1.1 mm) dient dem eleganten, schlichten Design von Smartphones.
Die 12-GB-Kapazität wurde durch die Kombination von sechs (6) LPDDR4X-Chips mit jeweils 16 Gigabit, basierend auf der Verarbeitung von 10 nm (1 Jahr nm) der zweiten Generation, in einem einzigen Paket erreicht, wodurch mehr Platz für den Smartphone-Akku geschaffen wird. Darüber hinaus gewährleistet der neue 1-GB-Mobilspeicher mithilfe der 12-nm-Technologie von Samsung Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 34.1 GB pro Sekunde und reduziert gleichzeitig den unvermeidlichen Anstieg des Stromverbrauchs, der durch die Erhöhung der DRAM-Kapazität verursacht wird.
Seit der Veröffentlichung von 1 GB mobilem DRAM im Jahr 2011 ist Samsung mit der Einführung von 6 GB mobilem DRAM im Jahr 2015, 8 GB im Jahr 2016 und der Einführung des ersten 12 GB LPDDR4X weiterhin führend auf dem Markt für mobile DRAMs. Von der hochmodernen Speicherproduktionslinie in Korea aus plant Samsung, das Angebot an mobilen 8-GB- und 12-GB-DRAMs auf Basis von 1-nm im zweiten Halbjahr 2019 mehr als zu verdreifachen, um die erwartete hohe Nachfrage zu decken.
Samsung Mobile DRAM-Produktionsplan: Massenproduktion
| Datum | Kapazität | Mobiler DRAM |
| Februar 2019 | 12GB | 1 Jahr-nm 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| Juli 2018 | 8GB | 1 Jahr-nm 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| April 2018 | 8GB (Entwicklung) | 1x-nm 8 GB LPDDR5, 6400 MB / s |
| September 2016 | 8GB | 1x-nm 16 GB LPDDR4X, 4266 MB / s |
| August 2015 | 6GB | 20 nm (2z) 12 GB LPDDR4, 4266 MB/s |
| Dez. 2014 | 4GB | 20 nm (2z) 8 GB LPDDR4, 3200 MB/s |
| September 2014 | 3GB | 20 nm (2z) 6 GB LPDDR3, 2133 MB/s |
| Nov. 2013 | 3GB | 2y-nm 6 GB LPDDR3, 2133 MB / s |
| Juli 2013 | 3GB | 2y-nm 4 GB LPDDR3, 2133 MB / s |
| April 2013 | 2GB | 2y-nm 4 GB LPDDR3, 2133 MB / s |
| August 2012 | 2GB | 30nm-Klasse 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1 / 2GB | 30nm-Klasse 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40-nm-Klasse 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50-nm-Klasse 1Gb MDDR, 400Mb/s |
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